4月13日消息,国内碳化硅器件研发企业“清纯半导体”日前发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfet碳化硅器件平台产品,可直接实现SiC器件的国产替代,同时具备高可靠性、兼容IGBT驱动电压等优势,填补了国内15V驱动SiC Mosfet产品空白。据悉,首款1200V 75mΩ SiC Mosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单,后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。
清纯半导体推出首款国产15V驱动SiC碳化硅器件
4月13日消息,国内碳化硅器件研发企业“清纯半导体”日前发布国内首款15V驱动的1200V SiC Mosfe…